製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- 6 μs of minimum short-circuit withstand time
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 6 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
- Low thermal resistance
- Soft and very fast-recovery antiparallel diode
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGD6M65DF2
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 07 Sep 2017 | 07 Sep 2017 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGD6M65DF2 | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss | DPAK | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGD6M65DF2
Package:
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low lossMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 概要 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||
| STGD6M65DF2 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください |
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STGD6M65DF2 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
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