不揮発性メモリでデータロギングの効率と精度を向上させる方法

イベント記録と読取り / 書込み命令の簡素化

• ページEEPROMは、新しい値をプログラムする前にデータの消去を自動的に実行するため、書込み命令を簡素化できます。
• 書込み命令は、アプリケーションのニーズに応じて、シングル･バイトやページ全体を処理できるため、非常に高い柔軟性を提供できます。

• ページEEPROMは、消去ステップなしで1msあたり512バイトを保存することで、プログラム命令を高速化します。
• ページEEPROMバッファ･モードは、ビッグ･データ･ブロックのを最適化します。ページ･プログラム（PGPR）にバッファ読込み命令を使用すると、1バイト～512バイトのデータを、あらかじめ消去された状態（FFh）でプログラムできます。また、ページ･プログラムの実行中に、次のページ･プログラム命令の512バイト･データをバッファ読込みすることが可能です。バッファ･モードの詳細については、テクニカル･ノートをダウンロードしてお読みください。
• イベント･セクターとブロックは、5ms未満の超高速消去により、いつでも消去できます。

集中的なメモリロギングにより、精度を向上

データロギングの頻度
• 通信時間を最小化する最大80MHzのSPI通信
• ページあたり50万回の高いデータ書換え耐性により、データロギングが簡素化され、複雑なウェア･レベリング戦略が不要になります。
• ページEEPROMの優れたデータ書換え耐性により、複雑な処理を必要とすることなく、同じページに10年間で毎日120回の更新が可能になります。

ECCを組み込んだ高いデータ信頼性

ページEEPROMは、組込みのエラー･コード訂正機能により、データ整合性を保護します。ECCは、シングルまたはダブル･ビット･エラーを修正したり、トリプル･ビット･エラーを検出したりできることから、シングル･ビット･エラーやダブル･ビット･エラーを防止します。データの記録領域は高ストレスにさらされているため、一定時間が経過すると、脆弱になる可能性があります。ユーザにトランスペアレントな組込みECC機能は、書換えストレス後10年間のデータ保持を保証します。ECC機能の詳細についてはこちらをご覧ください。

シリアル･ページEEPROMは、一連の機能を組み合わせることで、データロギングとイベント記録機能を効率的かつ堅牢にします。柔軟で高速の書込み命令やプログラム命令と組み合わせることにより、80MHzの高速SPIインタフェースはデータ･ストレージ操作と実行時間を低減できます。ページあたり50万回の高いデータ書換え耐性により、データロギングが簡素化される一方、組込みのECCにより、アプリケーションの寿命全体にわたってデータ堅牢性が確保されます。