FD-SOI

アナログ & RF設計におけるメリット

FD-SOIは、アナログ設計にさまざまなメリットを提供します。チャネルを完全に絶縁分離しているため、ゲート･キャパシタンスとリーク電流が低下し、全体的なラッチアップ耐性を実現します。さらに、完全空乏型トランジスタにはチャネル･ドーピングとポケット・インプラがないため、バルク技術と比べて低ノイズ / 高ゲイン（最大+15dB）が可能になります。

これにより、低消費電力かつ高性能であり、小型でシンプルなアナログ回路が実現できます。

優れた電力効率

優れた静電特性と誘電体絶縁を実現するFD-SOIは、主に2つのメリットを提供します。1つ目は、低電圧で高速動作を維持できる点です。2つ目は、ボディ･バイアスの効率が向上しているため、優れたチャネル制御や、待機時および動作時の消費電力を最適化することができます。

耐放射線性

FD-SOI技術は、超薄型ボディと埋込み酸化膜により、ビット･フリップやラッチアップといった放射線による誤動作に対し、優れた耐性を備えています。高性能なシステム･オン･チップの信頼性を高めるだけでなく、省スペース化（例：SRAM向けECC保護の簡略化）にも貢献します。

STは、FD-SOI技術本来のメリットに加え、耐放射線性ロジックICの設計技術を20年以上にわたり開発し続けています。放射線モデリング、設計、および試験に関する専門性を長年にわたり培ってきたSTは、セーフティ、ADAS、航空宇宙、産業、医療、ネットワーキングといった要件の厳しいアプリケーション向けに擬似耐性回路を提供することができます。

メモリに対するメリット

FD-SOIにSTの特許技術である「シングルウェル」ビットセル･アーキテクチャを組み合わせることで、SRAMのメモリ動作を大幅に改善することができます。これにより、従来のバルクSRAMと同等の性能を維持しつつ、低電圧かつ極めて低いリーク電流での動作が可能になります。