产品概述
描述
该高电压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复系列相比，DM6具备超低恢复电荷 (Qrr) 和超快恢复时间 (trr)，并在单位面积的RDS(on) 性能上实现了显著提升，同时采用市场上最为高效的开关特性之一，非常适用于要求严苛的高效桥式拓扑结构和ZVS移相转换器。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比，具有更低的RDS(on) x 面积
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100%雪崩测试
- 非常高的dv/dt耐用性
- 齐纳保护
- 通过额外的驱动源引脚实现出色的开关性能
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STHU32N65DM6AG
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符号
封装
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 05 Oct 2021 | 05 Oct 2021 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STHU32N65DM6AG | | | 2 distributors |
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