MDmesh™ DM6超结功率MOSFET是意法半导体最新的快速恢复二极管MOSFET系列，针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。
此类600和650 V快速恢复MOSFET具有极低的恢复电荷和时间（Qrr，trr），与前一代相比，RDS(on)降低了15%。高dV/dt稳定性（100 V/ns）让器件即使出现了大瞬态电压（如AC电源线上的噪声和谐波）也能可靠运行。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。
STPOWER MOSFET关键特性与优势
- 改进的本征二极管反向恢复时间（Trr），提高了效率
- 更高的dV/dt和di/dt容量有助于提高系统的可靠性与稳健性
- 符合AEC-Q101标准的600 V和650 V快速恢复MOSFET，可用于汽车应用
MDmesh™ DM6功率MOSFET具有借600到650 V的击穿电压范围，并提供广泛的封装选项，包括通孔（TO247、TO247长引线和4引线TO247）和SMD封装解决方案，包括D2PAK、7引线H2PAK和新型HU3PAK封装。
顶侧冷却HU3PAK解决方案的新突破可实现更高的功率密度和改进的热管理，从而实现更紧凑且非常有效的系统。这种新封装的特性非常适合工业与汽车应用。首款采用HU3PAK封装并上市的STPOWER MOSFET为获得AEC-Q101认证的600V STHU36N60DM6AG和STHU47N60DM6AG以及650V STHU32N65DM6AG，非常适合电动车辆应用中的OBC和DC-DC转换器。
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意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
