结合低栅极电荷（Qg）和优化的电容曲线，MDmesh™ M6系列超结高压MOSFET成为了当今谐振拓扑的参考。这种全新的超结MDmesh™ M6系列为功率转换器设计人员打开了一扇大门，使其能针对高效率和高功率密度设计新型方案。
Mdmesh™ M6功率MOSFET的击穿电压范围为600 V至650 V，可提供多种封装选项，包括：
- ||| NEW ||| 高压PowerFLAT 5x6解决方案可在5 x 6毫米的占地面积内提供最长的绝缘路径和最高650 V的最大运行间隙。
- TO-无引线（TO-LL）封装可实现有效的热管理
- 超薄型表面贴装高压PowerFLAT 8x8封装，具有专用的Kelvin源连接，可改善栅极驱动能力，从而提高MOSFET的效率
- ||| 新品 ||| MDmesh M6系列得到了扩充，引入了TO-220FP封装的13 A STF18N60M6和36 A STF46N60M6。为了提高效率，增加功率密度，这些器件提供了一种最有效的开关特性，适用于功率转换器系统。
这些功率MOSFET属于STPOWER系列。
主要特性
- 优化了软开关的阈值电压
- 良好的硬开关和软开关行为
- 低栅极电荷，可在高频下运行
- 电容曲线和阈值电压经过优化，可针对功率转换应用中的新拓扑实现高效率
- 极高的效率性能，增加功率密度
- 产品种类丰富
我们的超结MOSFET产品组合涵盖了工业应用的各种工作电压，例如：充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
