STPOWER GaN晶体管是基于氮化镓 (GaN) 的高效晶体管，而氮化镓是一种新型宽带隙化合物，为功率转换解决方案带来了极高的附加值。
如今开发电子电力器件的难度极大，既要不断提升效率和功率性能，同时又要不断降低成本和缩减尺寸。
采用氮化镓 (GaN) 技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。
与硅基晶体管相比，氮化镓功率晶体管在品质因数 (FoM)、导通电阻 (RDS(on)) 和总栅电荷 (QG) 方面的表现更出色，提供高漏源电压能力、零反向恢复电荷（在共源共栅器件中可以忽略）和极低的本征电容。先进的GaN技术解决方案可以提高功率转换效率，在满足极其严格的能源要求的同时实现更高的功率密度，它的工作频率更高，器件外观更为紧凑。STPOWER GaN晶体管是工业和汽车应用中高效率和高频率解决方案的核心。
GaN晶体管的优点
| 更高效 | 更高的功率密度 | 重塑功率 |
 |  |  |
| 更环保 | 尺寸更小 | 更智能的设计 |
意法半导体的PowerGaN增强模式晶体管产品组合
- GaN增强模式晶体管
这些正常处于关闭状态的p-GaN栅极增强模式晶体管提供零反向恢复电荷，非常适合超高频率应用。意法半导体的G-HEMT™系列提供650 V和100 V漏源电压额定值。了解我们的G-HEMT™ 650 V GaN HEMT产品组合。
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