超低栅极电荷(Qg)结合最佳的输出电容(Coss)曲线,使得意法半导体MDmesh M2系列成为谐振型电源(LLC转换器)的理想选择。
MDmesh M2 N-沟道SJ MOSFET击穿电压介于400 V至650 V之间,提供了众多封装选项,包括新型4针TO247-4(其专用控制引脚提高了开关效率)和1 mm高表面贴装PowerFLAT 8x8 HV以及PowerFLAT 5x6 HV(其采用裸露金属漏垫提高了散热效率)。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。
STPOWER MOSFET关键特性与优势
- 超低的Qg提高了效率
- 为谐振型电源(LLC转换器)优化了栅极电荷和电容曲线
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。
![MDmesh M2 series](/content/ccc/fragment/product_related/series_information/series_level_diagram/b7/ff/d4/78/00/fe/40/a3/mdmesh_m2_ss1865.jpg/files/mdmesh_m2_ss1865.jpg/jcr:content/translations/en.mdmesh_m2_ss1865.jpg)
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意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET,这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装,可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性,适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚,可减小接通/关断开关损耗,有助于设计人员进一步提高效率。