意法半导体的600 V IGBT V系列基于先进的专有沟槽场截止（TFS）结构，开关能耗（Eoff）极低，导通损耗低，提高了高开关频率应用中的效率，如焊机、太阳能逆变器、感应加热器、UPS、PFC和SMPS。IGBT属于STPOWER系列。
由于采用带有超快恢复续流二极管的组合封装，开启能耗显著降低。严格控制参数和正VCE(sat)温度系数实现了多个IGBT的安全并联，从而满足更高的功率要求和简化设计。
600 V IGBT V系列器件的额定电流为20 ~ 80 A，最高工作温度达175 ˚C，具有高dV/dt能力，性能极为稳定。还为成本较敏感的应用提供了无二极管版本。
STPOWER IGBT主要特征：
- 超高速IGBT系列（50-100 kHz）
- 具有高达175°C的工作TJ和600 V的击穿电压，稳定可靠
- 行业最低Eoff提高了效率
- 正温度系数可实现多个IGBT的安全并联
- 多种封装选项满足不同应用需求
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。
