意法半导体引入STPOWER STripFET F8技术，丰富了其低压MOSFET产品阵容。
该技术符合AEC-Q101标准，提供30-150 V的广泛封装解决方案，可满足超高功率密度解决方案的所有要求。
STripFET F8技术不仅优化了体二极管的性能，还有效降低了导通电阻和开关损耗。这项技术在功率转换、电机控制和配电线路中，不仅能够节约能源，还能确保低噪音运行。
利用工业和汽车MOSFET丰富STripFET F8产品阵容
意法半导体STripFET F8系列包括40 V标准级功率MOSFET，同时适用于各种工业级和车规级器件。作为对40 V逻辑电平产品的补充，这些低压N沟道器件能够面向各种应用提供更高的设计灵活性和更加出色的性能。全新推出的STL300N4F8和STL305N4F8AG漏极额定电流超过了300 A，其最大导通电阻RDS(on) 为1 mΩ，具有出色的耐用性和可靠性。
产品类型
意法半导体先进的STripFET F8技术通过降低器件电容，有效优化了栅漏电荷等动态参数，从而提升系统效率，确保卓越的开关速度表现。相比STripFET F7技术，设计人员可选用更高开关频率，采用更小的电容和电感元件。该技术能显著缩小电路尺寸、降低BOM成本，同时提升最终应用的功率密度。
优势
- 超低的导通损耗，提高了效率，使设计更加紧凑
- 低EMI辐射
- 体二极管平缓性和较低栅漏电荷，确保卓越的开关性能
- 更紧密的栅极阈值电压分布，便于并联
- 支持更小的封装解决方案
