MDmesh™ DM2系列是意法半导体最新推出的带快速恢复二极管的MOSFET，针对全桥移相ZVS拓扑进行了优化。
这些400 V - 650 V功率MOSFET具有超低反向恢复电荷和时间（Qrr，Trr），与前一代相比，RDS(on)降低了40%。高dV/dt稳定性（40 V/ns）让器件即使出现了大电压瞬态（如AC电源线上的噪声和谐波）也能可靠运行。我们的快速恢复二极管MOSFET属于STPOWER系列。
STPOWER MOSFET关键特性与优势
- 改进的本征二极管反向恢复时间（Trr），提高了效率
- 更高耐dV/dt能力，可提高系统可靠性
- 具有AEC-Q101认证的400 V、500 V、600 V和650 V 超结MOSFET适合汽车应用。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
