N-沟道 (20V 至 30V)

意法半导体STripFET低压MOSFET采用H2PAK封装，具有20 V至30 V的击穿电压范围、超低栅极电荷以及低至1.2 mΩ (24 V) 的低导通电阻。这些产品已经过优化，可满足负载点 (PoL)、VRM、主板、笔记本电脑、便携式和超便携式电器、线性稳压器、同步整流和汽车应用的各种要求。

在额定电压下，主要特性如下：

• 超低的R_DS(on)，增强了应用的效率
• 广泛的封装选项，包括面向小型设计的SMD PowerFLAT封装和面向大功率设计的H2PAK封装
• 标准、逻辑和超逻辑级阈值，增强了设计的灵活性

这些低压功率MOSFET提供多种小型和大功率封装选项：DPAK、D2PAK、H2PAK、SO-8、SOT-223、TO-220和PowerFLAT（2x2、3.3x3.3、5x6和5x6双岛封装）。