製品概要
概要
STDRIVEG600は、エンハンスメント型GaN FETまたはNチャネル･パワーMOSFET向けの、1チップに集積されたハーフブリッジ･ゲート･ドライバです。
ハイサイド･セクションは、600Vまでの電圧に耐えられるよう設計されており、最大500Vのバス電圧を用いた設計に適しています。
大電流容量、短い伝搬遅延時間、および最低5Vの電源電圧で動作でき、高速GaNやSi FETの駆動用に設計されています。
STDRIVEG600には、ローサイド / ハイサイド双方の駆動部にUVLO保護が搭載されており、効率の低い状態や危険な状態ではパワー･スイッチは動作しません。また、インターロック機能が貫通電流を防止します。
ロジック入力は、3.3VまでのCMOS/TTLに対応し、マイクロコントローラやDSPと簡単に接続することができます。
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特徴
- dV/dt耐性: ±200V/ns
- ドライバ駆動電流:
- 25℃ / 6Vでソース（1.3A typ.） / シンク（2.4A typ.）
- 25℃ / 15Vでソース（5.5A typ.） / シンク（6A typ.）
- 分離されたターンオン / ターンオフのゲート･ドライバ･ピン
- 厳密にマッチングされた伝播遅延: 45ns
- TTL / CMOS入力: 3.3V / 5V（ヒステリシス付き）
- インターロック機能
- ローサイド / ハイサイド双方にUVLO搭載
- シャット･ダウン専用端子
- 過熱保護
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STDRIVEG600
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STDRIVEG600 | 量産中 | SO-16 | インダストリアル | Ecopack2 | |
| STDRIVEG600TR | 量産中 | SO-16 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 製品ステータス | Budgetary Price (US$)*/Qty | STから購入 | Order from distributors | パッケージ | 梱包タイプ | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STDRIVEG600 | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
| STDRIVEG600TR | | | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | |||||||||||
STDRIVEG600 量産中
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください
STDRIVEG600TR 量産中
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。