eSTM embedded Select in-Trench Memory
eSTM：40nm 組込み不揮発性メモリの進歩
不揮発性メモリ（NVM）は、組込みシステムにおいて、電源をオフにした後もデータを保持するために必要なメモリです。電荷蓄積型のNVMは、メモリ内に電荷を保持することでデータを保存します。NVMは現在、産業、コンスーマ、車載向けアプリケーションのほとんどに使用されています. STは、汎用マイコンおよびセキュア･マイコンのフットプリントやコスト削減、さらなる性能向上に向けて、業界初の40nmノード eSTM（embedded Select in Trench Memory*）セルを導入しました。
* は、STMicroelectronics International NVもしくはEUおよび / またはその他の地域における関連会社の登録商標および / または未登録商標です。
2015年、STは研究開発プロジェクトの開始からわずか2年弱で、40nmノードにおけるeSTMテクノロジーの開発に成功し、量産の準備を整えました。2017年以降、eSTMは15のST製品に実装され、現在もさらに多くの製品の設計･検証が進められています。 テクノロジーへの投資と製造設備により、STはこれまでにきわめて多くのエンド･デバイスを製品化してきました。
* は、STMicroelectronics International NVもしくはEUおよび / またはその他の地域における関連会社の登録商標および / または未登録商標です。
技術開発から産業化へ
銀行のキャッシュ･カードや携帯電話、補聴器、産業用ロボットまで、現在、eSTMテクノロジーは世界中の様々なシステムで使用されています。eSTMテクノロジーは最新の組込み型およびスタンドアロン型メモリに実装され、アプリケーションの大幅な性能向上に貢献しています。
NVMにおけるeSTM：革新的なEEPROM
ページEEPROMと呼ばれるSTの8Mbit～32Mbit NVMは、40nmノードのeSTMセルによって構成されています。eSTMによる技術革新は、ダイ･サイズの小型化に加え、以下のメリットを実現します。
- 業界最大容量の4Mbit EEPROMを超えるメモリ容量
- 読出し / 消去 / 書込み時の消費電力削減（最大で業界標準の1/5）
- 消去コマンドの高速化（業界標準の10倍以上）
- 書換えサイクル耐性の向上（業界標準の5倍以上）
医療用補聴器など、NVMにeSTMセルを使用している多くの機器で、ユーザ･エクスペリエンスが大幅に改善され、バッテリ寿命も延びています。
汎用マイコンにおけるeSTM：STM32の性能を向上
高性能STM32H5シリーズをはじめ、多くのSTM32マイコンに40nmノードのeSTMテクノロジーが実装されています。
eSTMセルは現在、40nmノードで業界最小の フローティング･ゲート埋込み型NVMセルであり、大幅なコスト削減に貢献します。 STM32へのeSTMテクノロジーの導入により、消去時間の短縮やデータFlashの書換え耐性向上が可能となり、マイコンおよびアプリケーションの性能も向上しました。 STM32H562/63マイコンでは、前世代品に比べて最大10倍の書換え耐性を実現しています。
セキュア･マイコンにおけるeSTM：コスト効率に優れた
アーキテクチャ
eSTMセルを内蔵したセキュア･マイコン「STSECURE」は、コンスーマ機器から最も厳格な要件が課される車載用まで、幅広いアプリケーションに対応します。40nmノードの微細なeSTMセルが、セキュア･マイコンのサイズとコストを大幅に削減します。eSTMは、Flashメモリ並みのメモリ密度を備えたEEPROMとして、優れた柔軟性も提供します。
独自のセル･アーキテクチャ
eSTMは、独自のセル･アーキテクチャをベースにしています。従来と同様にポリシリコンのフローティング･ゲート（FG）とポリシリコンのコントロール･ゲート（CG）を積み重ね、垂直方向に選択トランジスタ（ワードライン）を設けた構造の記憶素子で構成されます。
隣接する2つのセルの選択トランジスタ（ワードライン）を単一構造にまとめて垂直方向に配置します。これが、ソースラインとして機能する下部のN型拡散層に届く深さまでシリコン内に埋め込まれています。
eSTMセルの断面図
