抗辐射双极晶体管

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旨在满足空间应用的高可靠性要求

意法半导体高可靠性抗辐射双极晶体管的最大集电极-发射极电压高达300 V,最大集电极电流高达5 A,辐射测试后的hFE呈线性且变化小。

NPN和PNP器件均可采用气密封装,例如表面贴装LCC-3、UB、SMD.5、以及通孔式封装TO-257AA。双互补NPN和PNP晶体管也可采用LCC-6和Flat-8封装。

意法半导体的高可靠性抗辐射产品已通过ESCC认证,可提供能够耐受高达100 krad电离总剂量 (TID) 的抗辐射版本。

意法半导体致力于进一步扩大面向高效功率转换、电力牵引和TWT阴极偏压应用的产品范围。