STは、STPOWER STripFET F8テクノロジーの導入により、低電圧MOSFETのポートフォリオを拡張しました。
このAEC-Q101認定済みテクノロジーは、30V～150Vの幅広いパッケージ･ソリューションを提供することで、非常に高い電力密度ソリューションのあらゆる要件に対応します。
STripFET F8テクノロジーは、ボディ･ダイオードのプロパティを最適化しながら、オン抵抗とスイッチング損失の両方を低減することで、エネルギーを節約し、電力変換、モータ制御、配電回路の低ノイズ化を実現します。
産業用および車載用のMOSFETを含む幅広いSTripFET F8ポートフォリオ
STのSTripFET F8シリーズでは、産業および車載の両グレードで40Vのスタンダード入力対応パワーMOSFETを提供しています。これらの低電圧NチャネルMOSFETは、40Vロジック入力対応の製品を補完し、幅広いアプリケーションで設計の柔軟性と性能を高めます。新登場のSTL300N4F8とSTL305N4F8AGは、300Aを超えるドレイン電流定格、1mΩの最大RDS（on）を実現し、並外れた堅牢性と信頼性を保証します。
アプリケーション
これらのNチャネル低電圧MOSFETは、システム設計を簡素化し、車載用、コンピュータ & 周辺機器、データ･センター、通信、太陽光発電システム、電源 & コンバータ、バッテリ･チャージャ、家庭用 & 業務用電気製品、ゲーム、ドローンなどのアプリケーションで効率を向上させます。
製品タイプ
STの先進的なSTripFET F8テクノロジーは、デバイス静電容量が低いため、ゲート･ドレイン間電荷などの動的パラメータを最小限に抑えることができます。これにより、高速スイッチングが可能になり、高いシステム効率が実現されます。設計者は、STripFET F7テクノロジーよりも高いスイッチング周波数を選択できるため、容量性部品や磁気部品を小型化することができます。その結果、回路サイズや部材コストの削減を実現できると同時に、最終アプリケーションの電力密度が向上します。
メリット
- 効率向上および小型化に貢献するきわめて低い伝導損失
- 低EMIエミッション
- ボディ･ダイオードのソフト･リカバリおよび低ゲート･ドレイン間電荷により、優れたスイッチング動作を確保
- ゲート閾値電圧の厳密な制御により、並列接続を容易化
- パッケージ･ソリューションの小型化を実現
