STDRIVE栅极驱动器是任何开关模式功率转换器中分立功率MOSFET和IGBT以及数字 – 微控制器、DSP和FPG – 或模拟控制器的必要配套组件，它生成必要的电压和电流值，能精确、有效地激活工业、消费者、计算机和汽车应用中的功率级。
借助适用于低压或高压（高达1500 V）应用的单桥、半桥和多通道驱动器等产品，意法半导体还提供了电流隔离栅极驱动器IC，满足安全和功能需求，系统级封装（SiP）解决方案集成了高边和低边栅极驱动器和基于MOSFET的功率级，符合更高集成度、更低开发成本的工业市场趋势。
在多数情况下，总有一款STDRIVE适合您的开关模式电源转换器。STDRIVE配备大量评估硬件和软件以及技术文档工具箱，可以帮助电机和运动控制系统的设计者，节约设计时间，以有效缩短（终端产品）上市周期。
氮化镓（GaN）技术通过硅MOSFET支持实现前所未有的高速、更高效率和功率密度，正在深刻改变电力工程领域。我们先进MasterGaN系统级封装集成了GaN晶体管和栅极驱动器，具有优化的栅极驱动布局、较高的功率密度以及因最小寄生效应而提升的开关频率，因此效率更高。
我们的MasterGaN平台包括MasterGaN1、MasterGaN2、MasterGaN3、MasterGaN4、MasterGaN5，现在可以更好地满足特定应用的要求。
GaN驱动设备是用于增强模式GaN FET或N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器
精选 视频
The STGAP3S gate driver for SIC MOSFETs and IGBT devices combines ST’s latest galvanic isolation technology with optimized desaturation protection and flexible Miller-clamp architecture.
特别推荐
Advanced galvanic isolated gate drivers for SIC MOSFETs and IGBTs
The STGAP3S series, featuring fast desaturation protection and a flexible Miller-clamp function, targets industrial and energy applications.
With high CMTI, this gate driver meets the latest requirements in terms of current capability and protection functions.
The STGAP3S series includes different options with 10 A and 6 A current capabilities, each available with dedicated UVLO variants for SiC MOSFETs and IGBTs.
