STM32H725/735系列内含工作频率高达550 MHz的Arm® Cortex®-M7内核(具有双精度浮点单元),可选扩展室温范围最高为125 °C (*)。
性能
- 在550 MHz的fCPU下,从闪存执行程序时,能够提供2778 CoreMark /1177 DMIPS的性能,利用其L1缓存实现了零等待执行。
- L1缓存(32 KB的I-缓存 + 32 KB的D-缓存)提高外部存储器的执行性能
安全性
STM32H735 MCU包含以下额外安全特性:
- 加密/哈希硬件加速
- STM32H755还支持安全固件安装(SFI)嵌入式安全服务,可在执行初始程序时执行安全验证并保护软件IP。
- 安全启动和安全固件升级(SBSFU)
高能效
- 多电源域架构可实现将不同的电源域配置为低功耗模式,进而优化功耗效率
- 内置SMPS,用于降低电源电压。还可用于为外部电路供电,以及特定应用情况下结合LDO共同使用。
- USB调节器提供嵌入式物理接口层(PHY)
- 在运行模式(外设关),典型为147 µ/MHz @VDD = 3.3 V和25 °C
- 低功耗待机模式下的典型功耗电流为3.5 µA
- 在不带RTC、带4 KB备用的VBAT模式(低功耗模式)下,典型功耗为1.45 *µA
图形
- LCD-TFT控制器接口支持双层图形
- Chrom-ART Accelerator™提高了图形内容创建速度,并为其它应用节省了MCU内核处理带宽
片内外设
- 多达35个通信接口包括FD-CAN、USB 2.0高速/全速、以太网MAC、摄像头接口
- 可利用带有24位并行接口或双模Octo-SPI串行闪存接口的灵活存储控制器轻松扩展存储器容量
- 模拟外设:12位DAC,快速16位和12位ADC
- 多个16和32位定时器
STM32H725/735 MCU系列提供512 KB到1 MB的Flash存储器,具有以下结构的564 KB SRAM:
- 128 KB的数据TCM RAM,用于关键的实时数据
- 432 KB的系统RAM(对于关键的实时指令,可以在TCM RAM指令上重新映射最多256 KB)
- 4KB的备份SRAM(可在最低功耗模式中使用)
STM32H725/735 MCU系列采用BGA和LQFP配置文件,提供100至176引脚的封装,以及VFQFN68和WLCSP115封装。
(*)最大扩展温度范围:环境温度125 °C / 结温140 °C。专用部件编号
