STM32F429/439系列集成Cortex-M7内核性能（具有浮点单元），工作频率为180 MHz，同时可达到与STM32F405/415/407/F417相当的较低静态功耗（停止模式）。
性能：在180 MHz频率下，从Flash执行时，STM32F429/439能够提供225 DMIPS/608 CoreMark性能，并且利用意法半导体的ART加速器实现了FLASH零等待状态。DSP指令和浮点运算单元扩大了产品的应用范围。
功效：该系列产品采用意法半导体90 nm工艺和ART加速器，具有动态功耗调整功能，能够在运行模式下和从Flash存储器执行时实现低至260 µA/MHz的电流消耗（@ 180 MHz）。停机模式下，它的功耗为120 µA（典型值），这比STM32F405/415/407/F417低了3倍。
图形：充分利用了Chrom‑ART Accelerator™的优势，支持双层图形的新型LCD-TFT 控制器接口。该图形加速器创建内容的速度达到单独使用内核时的两倍。除了高效的2-D原始数据复制以外，Chrom-ART加速器还支持其他功能，比如图像格式转换或图像融合（透明度混合）。这样，Chrom-ART加速器就提高了图形内容创建速度，为其余程序节省了MCU内核处理带宽。
集成模块：
- 音频：2个专用的音频PLL，2个全双工I²S和一个新型串行音频接口（SAI），支持时分复用（TDM）模式
- 多达20个通信接口（包括4个USART、4个速度达11.25 Mbit/s的UART、6个速度达45 Mbit/s的SPI、3个具有新型可选数字滤波器功能的I²C、2个CAN、SDIO）
- 模拟：两个12位DAC，三个速度可达2.4 MSPS或7.2 MSPS（交错模式下）的12位ADC，并有多达
17个定时器：16位和32位，工作频率可达180 MHz - 使用灵活的90 MHz存储控制器可以轻松扩展存储范围，带有一个32位的并行接口，能支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR、 NAND以及SDRAM存储器
- 基于模拟技术的随机数发生器
- STM32F439还集成了加密/哈希模块，为AES-128, -192和-256实现了硬件加速，并且支持GCM和CCM、3DES与哈希（MD5、SHA-1和SHA-2）
STM32F429和STM32F439系列产品采用5 x 5.1 mm的小型封装，提供512KB闪存~2MB双区闪存、256KB SRAM，引脚数范围100~216。由于集成了这些存储器，就会减少对外部存储器的需求，实现更小、更安全的低辐射PCB设计。
